台湾半导体TSM10ND65 650V n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 台湾半导体TSM10ND65 650V n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

Semiconductors

台湾半导体TSM10ND65 650V n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-24

摘要： 台湾半导体TSM10ND65 650V n通道功率MOSFET是一个10A 650V MOSFET建立在一个先进的平面工艺，100% ui和Rg测试。这个MOSFET带有一个典型的R (DS(on))的0.59欧姆与V (GS)为10V和I ...

台湾半导体TSM10ND65 650V n通道功率MOSFET是一个10A 650V MOSFET建立在一个先进的平面工艺，100% ui和Rg测试。这个MOSFET带有一个典型的R (DS(on))的0.59欧姆与V (GS)为10V和I 2.5 (D)。该设备符合RoHS要求，不含卤素。MOSFET是AC/DC LED照明和电源的理想选择。

特性

100%的ui和Rg测试
高级平面流程

符合RoHS指令2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC
无卤素符合IEC 61249-2-21

应用程序

AC / DC LED照明

电力供应

包装尺寸(毫米)

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：QPA1027 GaN功率放大器的介绍、特性、及应用

下一篇：安森美半导体NCV7750低侧继电器驱动器的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308