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transhorm Automotive (AEC-Q101)合格的GaN fet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-06-24

摘要: transhorm Automotive (AEC-Q101)认证的GaN fet是正常关闭器件,具有卓越的可靠性和性能。该器件结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。通过更低的栅极电荷和交叉损耗,以及更小的反向恢复电荷...

transhorm Automotive (AEC-Q101)认证的GaN fet是正常关闭器件,具有卓越的可靠性和性能。该器件结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。通过更低的栅极电荷和交叉损耗,以及更小的反向恢复电荷,transhorm GaN提供了比硅更高的效率。

特性

  • JEDEC-qualified GaN技术
  • 结温额定值175°C
  • 动态生产测试
  • 稳健的设计,由
    • 内在生命周期测试
    • 宽闸门安全裕度
    • 瞬态过电压的能力
  • 非常低的Q (RR)
  • 减少交叉损失
  • 符合RoHS要求,无卤素包装
  • 支持AC-DC无桥图腾柱PFC设计
  • 增加功率密度
  • 减小系统尺寸和重量
  • 整体降低系统成本
  • 在硬交换电路和软交换电路中均实现了更高的效率
  • 容易驾驶与常用的大门驱动器
  • GSD引脚布局改进了高速设计

应用程序

  • 汽车
  • 数据通信
  • 广泛的工业
  • 光伏逆变器
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