STMicroelectronics STDRIVE601三重半桥栅驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-23

摘要： STMicroelectronics STDRIVE601三重半桥栅驱动器是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。该器件是一个带有三个半桥栅驱动的单芯片，适用于三相应用的n通道功率mosfet或igbt。所有器件输出分别可以sink和sou...

STMicroelectronics STDRIVE601三重半桥栅驱动器是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。该器件是一个带有三个半桥栅驱动的单芯片，适用于三相应用的n通道功率mosfet或igbt。所有器件输出分别可以sink和source 350mA和200mA。联锁和死区功能保证了防止交叉导电。该设备有专门的输入引脚为每个输出和关机引脚。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，低至3.3V，便于与控制设备接口。低侧和高侧截面之间的匹配延迟保证了没有周期畸变，并允许高频运行。

STDRIVE601嵌入了一个具有高级SmartSD功能的比较器，该功能也集成到设备中，确保对过流、过温等故障事件进行快速有效的保护。在低侧和每个高侧驱动部分都有专用的UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。集成自举二极管，以及集成电路的所有集成特性，使应用PCB设计更容易。这些特点也使它更加紧凑和简单，从而减少了整体的材料清单。