摘要: 亚德诺半导体ADF5610带VCO的微波宽带合成器允许实现分数N或整数N锁相环(PLL)频率合成器。当与外部环路滤波器和外部参考源一起使用时,可以实现这一点。宽频带微波压控振荡器(VCO)设计允许从7300MHz到14600MHz的频率工...
亚德诺半导体ADF5610带VCO的微波宽带合成器允许实现分数N或整数N锁相环(PLL)频率合成器。当与外部环路滤波器和外部参考源一起使用时,可以实现这一点。宽频带微波压控振荡器(VCO)设计允许从7300MHz到14600MHz的频率工作。这是在单个射频(RF)输出下完成的。一系列分频器的差分频率输出允许从57MHz到14600MHz的工作。
PLL电路的模拟和数字电源范围从3.1V到3.5V。VCO电源在4.75V到5.25V之间。充电泵供电电压可扩展至3.6V,以改善频带重叠,扩大上频范围。
ADF5610具有集成的VCO,基频为3650MHz至7300MHz。这些频率在内部加倍,并路由到RF(OUT)引脚。一个额外的差分输出允许加倍的压控振荡器频率被1、2、4、8、16、32、64或128除。这允许产生低至57MHz的射频输出频率。
一个简单的3线串行端口接口(SPI)提供了所有片上寄存器的控制。当不需要时,可以通过SPI接口禁用这个分割器块,以节省电力。
单端输出和差分输出的输出功率通过VCO寄存器设置可编程。ADF5610还包含VCO电路和锁相环电路的各种断电模式。
RF输出频率范围:57MHz ~ 14600mhz
rout: 7300MHz至14600mhz
PDIV/NDIV: 57MHz至14600mhz
分数N合成器和整数N合成器模式
24位部分模
精确频率模式0Hz频率误差
典型的PFD伪伪:<-105dBc
归一化带内相位噪声底板
229 dbc /赫兹(整数)
226 dbc /赫兹(部分)
232 dbc /赫兹(整数)
229 dbc /赫兹(部分)
高电流模式:
正常模式:
集成rms抖动:40fs
保持频率锁定在-40°C至+85°C(锁定并离开)
低相位噪声压控振荡器
115dBc/Hz典型在100kHz (7.3GHz)
114dBc/Hz典型在100kHz (10GHz)
109dBc/Hz典型在100kHz (14.6GHz)
RFOUT力量:5 dbm
可编程除以12 4 8 16 32 64 128输出
可编程输出功率电平
典型功耗:815mW
可编程低电流、低功耗:700mW
快速跳频(autocalibration启用):< 40µ年代
48-端子,7x7mm LGA封装:49mm (2)
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