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IXYS x4级135V-150V功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-21

摘要： IXYS x4级135V-150V功率mosfet采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发。这种技术导致功率mosfet具有显著降低电阻R (DS(on))和门电荷Q (g).低的通态电阻减少了传导损耗;它还降低了存储在输出电容中的能量，使开关损...

IXYS x4级135V-150V功率mosfet采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发。这种技术导致功率mosfet具有显著降低电阻R (DS(on))和门电荷Q (g).低的通态电阻减少了传导损耗;它还降低了存储在输出电容中的能量，使开关损耗最小化。低栅极电荷可在轻负载下提高效率，同时降低栅极驱动要求。这些mosfet也是雪崩额定的，并表现出优越的dv/dt性能。由于它们的通态电阻具有正的温度系数，这些mosfet可以并联工作以满足更高的电流要求。

特性

低导通电阻R(DS(ON))和栅极电荷Q(g)
dv / dt强度

雪崩能力
国际标准包装

应用程序

开关电源中的同步整流
电机控制(48V-80V系统)
直流-直流转换器
不间断电源

电动叉车
d类音频放大器
电信系统

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