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英飞凌技术CoolSiC 1200V SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-21

摘要： 英飞凌技术CoolSiC 1200V SiC沟槽mosfet将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、健壮性和易用性的独特特性相结合。CoolSiC 1200V SiC Trench mosfet采用最先进的Trench半导体工艺，优化后既能提...

英飞凌技术CoolSiC 1200V SiC沟槽mosfet将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、健壮性和易用性的独特特性相结合。CoolSiC 1200V SiC Trench mosfet采用最先进的Trench半导体工艺，优化后既能提供最低的应用损耗，又能提供最高的运行可靠性。这些设备适用于高温和恶劣环境下的操作，能够简化部署，节约成本，提高系统效率。

CoolSiC 1200V SiC沟槽mosfet提供紧凑的TO-247-3和TO-247-4封装。to -247-4封装包含一个额外的电源连接(开尔文连接)，它被用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除电压下降对源电感的影响。其结果是比TO-247-3版本更低的开关损耗，特别是在更高的电流和更高的开关频率下。

特性

极低开关损耗
无阈值的状态特性
宽的栅源电压范围
基准栅极阈值电压，V(GS(th)) = 4.5V
0V关断栅极电压
完全可控的dV / dt
整流健壮体二极管，准备同步整流
与温度无关的开关损耗
卓越的栅极氧化物可靠性
最佳的类开关和导通损耗

IGBT兼容驱动(+15V)
阈值电压，V(th) >4V
短路的鲁棒性
最高的效率，减少了冷却的努力
使用寿命长，可靠性高
更高的频率操作
降低系统成本
增加功率密度
降低了系统的复杂性
易于设计和实现

应用程序

光伏逆变器(PV)
能量储存和电池充电
不间断电源(UPS)

开关模式电源(SMPS)
工业驱动
医疗

文档

CoolSiC MOSFET应用笔记

CoolSiC产品宣传册

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