Alliance Memory MT41x DDR3 sdram使用双数据速率体系结构，接口在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。MT41x DDR3的双数据速率架构采用8n预取架构，实现高速运行。这些sdram从CK和CK#差分时钟输入进行操作。MT41x DDR3采用面向突发的方法读取和写入，访问从选定的位置开始，并按程序顺序继续。这些sdram使用BL8和BC4读写。MT41x DDR3 sram由于其流水线和多银行体系结构能够执行并发操作。这有助于通过隐藏行预充电和激活时间提供高带宽。这些sdram具有自刷新模式、省电模式和下电模式。

特性

• 差分双向数据闸门

• 8 n位预取架构

• CK和CK#差分时钟输入

• 8内部银行

• 数据、频闪和掩码信号的标称和动态模上终止(ODT)

• 可编程CAS(读)延迟(CL)

• 可编程发布CAS附加延迟(AL)

• 可编程CAS(写)延迟(CWL)

• 固定爆裂长度(BL)的8和爆裂chop (BC)的4

• 可实时选择BC4或BL8 (OTF)

• Self-refresh模式

• 自刷新温度(SRT)

• 自动自刷新(ASR)

• 写水平

• 多用途登记

• 输出驱动校准

状态图