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Vishay集成了mosfet与普通漏管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-18

摘要： Vishay集成mosfet与公共漏是1,2，和3通道提供表面安装。集成的mosfet具有N通道和N+ p通道选项，击穿电压范围为20V到200V。增强模式mosfet有6个或8个管脚，功耗范围为1.5W到69.4W，漏源电阻为2.15毫欧...

Vishay集成mosfet与公共漏是1,2，和3通道提供表面安装。集成的mosfet具有N通道和N+ p通道选项，击穿电压范围为20V到200V。增强模式mosfet有6个或8个管脚，功耗范围为1.5W到69.4W，漏源电阻为2.15毫欧到26毫欧。

特性

工作温度:-55°C + 150°C
安装:SMD
通道:1、2或3
晶体管类型:n通道，n通道和p通道
漏源击穿电压:20V ~ 200V
V(gs)栅源电压:-16V至20V
漏源电阻上的R(ds): 2.15毫欧到26毫欧

I(d)连续漏极电流:8.5A至60A
秋季时间:12us至510ns
上升时间:3.5us至330ns
Pd功耗:1.5W ~ 69.4W
增强型
AEC-Q101合格

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