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运输650V GaN fet到220封装的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-18

摘要： transhorm 650V GaN fet in TO-220封装结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。与硅相比，该器件提供了更高的可靠性和性能，并提高了效率。所述fet具有较低的栅电荷、较低的交叉损耗和较小的反向恢...

transhorm 650V GaN fet in TO-220封装结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。与硅相比，该器件提供了更高的可靠性和性能，并提高了效率。所述fet具有较低的栅电荷、较低的交叉损耗和较小的反向恢复电荷。

特性

JEDEC合格的氮化镓技术
动态生产测试
稳健的设计，由
- 内在生命周期测试
- 宽闸门安全裕度
- 瞬态过电压的能力
非常低的Q (RR)
减少交叉损失
符合RoHS要求，无卤素包装

支持AC-DC无桥图腾柱PFC设计
- 增加功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 整体降低系统成本
在硬交换电路和软交换电路中均实现了更高的效率
容易驾驶与常用的大门驱动器
GSD引脚布局改进了高速设计

应用程序

数据通信
广泛的工业

光伏逆变器
伺服电机

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