德州仪器TPS65295 DDR4内存电源解决方案的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-18

摘要： 德州仪器TPS65295 DDR4内存电源解决方案集成了两个同步降压转换器(VPP和VDDQ)、一个1-A接收器和源跟踪LDO (VTT)和一个缓冲低噪声参考(VTTREF)。TPS65295提供了实质性的功能以及卓越的电源性能。该器件采用...

德州仪器TPS65295 DDR4内存电源解决方案集成了两个同步降压转换器(VPP和VDDQ)、一个1-A接收器和源跟踪LDO (VTT)和一个缓冲低噪声参考(VTTREF)。TPS65295提供了实质性的功能以及卓越的电源性能。该器件采用D-CAP3模式，耦合600kHz开关频率，易于使用，快速瞬态，并支持陶瓷输出电容，无需外部补偿电路。

TPS65295 DDR4内存电源解决方案满足JEDEC标准对DDR4上下电顺序的要求。支持灵活的电源状态控制，S3将VTT置于high-Z状态，S4/S5状态将VDDQ、VTT、VTTREF放电。其他可用功能包括OVP, UVP, OCP, UVLO和热关闭保护。TPS65295采用热增强18引脚HotRodVQFN封装，可在-40°C至125°C结温范围下工作。

特性

同步降压变换器(VDDQ)
- 输入电压范围:4.5V ~ 18V
- 输出电压固定1.2V
- D-CAP3模式控制快速瞬态响应
- 连续输出电流:8A
- 高级Eco-mode脉冲跳跃
- 集成22毫欧和8.6毫欧RDS(on)内部电源开关
- 600千赫频率切换
- 内部软启动:1.6ms
- 逐周期过载保护
- 锁存输出OV和紫外线保护
缓冲引用(VTTREF)
- 缓冲，低噪音，±10mA能力
- 0.8%的输出精度
输出放电功能
上电和下电顺序控制
OT和UVLO保护的非锁存器
18引脚3.0mm×3.0mm HotRodVQFN封装

同步降压变换器
- 输入电压范围:3V ~ 5.5V
- 输出电压固定2.5V
- D-CAP3模式控制快速瞬态响应
- 连续输出电流:1A
- 高级Eco-mode脉冲跳跃
- 内置150毫欧和120毫欧RDS(on)电源开关
- 580千赫频率切换
- 内部软启动:1ms
- 逐周期过载保护
- 锁存输出OV和紫外线保护
1 LDO(国立)
- 1A连续的吸收和源电流
- 只需要10µF(陶瓷电容器的输出
- S3支持high-z
- ±30mV VTT输出精度(DC+AC)
低静态电流:150µ
能力好的指标