ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS high voltage mosfet的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS high voltage mosfet的介绍、特性、及应用

Semiconductors

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS high voltage mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-16

摘要： ROHM半导体R60xx PrestoMOS 高压mosfet采用快速恢复二极管来优化电路板空间，同时在五种封装类型中提供600V。这些第三代金属氧化物半导体场效应晶体管是集成逆变器电源的理想选择。该器件的高速开关与具有高反向恢复时间(t ...

ROHM半导体R60xx PrestoMOS 高压mosfet采用快速恢复二极管来优化电路板空间，同时在五种封装类型中提供600V。这些第三代金属氧化物半导体场效应晶体管是集成逆变器电源的理想选择。该器件的高速开关与具有高反向恢复时间(t (rr))特性优化效率和降低损失，同时有助于较小的设计。

特性

n沟道晶体管类型
电压30 v gate-source
5 v gate-source阈值
1.43欧姆到936毫欧漏源电阻

600 v - 650 v漏源极崩溃
53W ~ 495W功耗
-55°to +150°C工作温度

应用程序

集成电源逆变器、照明设备、电机
太阳能电池，电力调节器
高频桥电路

易受电流变化率(di/dt)损坏的电路
Transformer-equipped集

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：Qorvo ACT4751EVK1评估试剂盒的介绍、特性、及应用

下一篇：Maxim DS28E39EVKIT评估系统的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308