Infineon Technologies optimmos 6功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-16

摘要： 英飞凌技术OptiMOS 6功率mosfet提供下一代、尖端的创新和一流的性能。OptiMOS 6系列采用了薄晶圆技术，使性能显著提高。与替代产品相比，optimmos 6功率mosfet的R(DS(ON))降低了30%，并优化为同步整流。...

英飞凌技术OptiMOS 6功率mosfet提供下一代、尖端的创新和一流的性能。OptiMOS 6系列采用了薄晶圆技术，使性能显著提高。与替代产品相比，optimmos 6功率mosfet的R(DS(ON))降低了30%，并优化为同步整流。

此外，该器件还具有更好的性能(FOM - R(DS(on)) x Q(g)和Q(gd))，允许设计者提高效率和降低系统成本。OptiMOS 6保持了输出更高功率的优势，其中R(DS(on))损失越来越占主导地位，导致在整个操作范围内性能更好。

40 v功率场效应管

英飞凌技术optimmos 6 40V功率mosfet针对各种应用和电路进行了优化，包括服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和环形电路中的开关模式电源(SMPS)中的同步整流。在SMPS应用中，OptiMOS 6是在广泛的输出功率范围内优化效率的完美解决方案，避免了低负载和高负载条件之间的权衡。

OptiMOS 6 40V功率mosfet有两种不同的封装，SuperSO8 - 5mm×6mm R(DS(on))范围从5.9毫欧到0.7毫欧，PQFN 3.3mm×3.3mm R(DS(on))范围从6.3毫欧到1.8毫欧。

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