碳化硅(SiC)场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-16

摘要： 意法半导体650碳化硅(SiC)场效应管具有极低的通态电阻(R(DS(on)))和优异的开关性能。这就转化为更有效和更紧凑的系统。与硅场效应晶体管相比，碳化硅场效应晶体管即使在高温下也表现出较低的每面积通态电阻。在所有温度范围内，SiC m...

意法半导体650碳化硅(SiC)场效应管具有极低的通态电阻(R(DS(on)))和优异的开关性能。这就转化为更有效和更紧凑的系统。与硅场效应晶体管相比，碳化硅场效应晶体管即使在高温下也表现出较低的每面积通态电阻。在所有温度范围内，SiC mosfet还具有与同类中最好的igbt相比的优良开关性能。这简化了电力电子系统的热设计。

特性

极高的高温处理能力(最大。TJ = 200°C)，降低了PCB的成型系数(简化了热管理)，提高了系统的可靠性
显著降低开关损耗(与温度的最小变化)，从而使设计更加紧凑(具有更小的无源元件)
低开态电阻(20 毫欧typ。@ 25°C 650 v设备和80欧姆typ。@ 25°C (1200V设备)，由于降低了冷却要求，从而提高了系统效率
简单驱动(性价比高的网络驱动)
非常快速和强大的本体质二极管(不需要外部自由转动的二极管，因此系统更紧凑)

SiC MOSFET范围

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