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GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V， & 1700V SiC肖特基MPS 二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-15

摘要： GeneSiC半导体650V, 1200V和1700V SiC肖特基MPS 二极管提供低待机功率损耗和提高电路效率。650V SiC二极管的正向电流范围为6A到20A。1200V SiC二极管的正向电流范围为1A到200A。1700V Si...

GeneSiC半导体650V, 1200V和1700V SiC肖特基MPS 二极管提供低待机功率损耗和提高电路效率。650V SiC二极管的正向电流范围为6A到20A。1200V SiC二极管的正向电流范围为1A到200A。1700V SiC二极管的正向电流范围为5A到50A。

所有650V、1200V和1700V SiC肖特基二极管都具有并联器件而不会产生热失控的优点。其他特性包括低反向恢复电流，低器件电容和低反向泄漏电流。

SiC肖特基MPS二极管非常适合广泛的应用，包括LED照明、医疗成像系统、高压传感和电动汽车。

特性

高雪崩(ui)能力
增强浪涌电流能力
优秀品质QC/IF指标
低热阻，快速散热

175°C最高工作温度
与温度无关的开关行为
VF的温度系数为正
极快的切换速度

应用程序

升压二极管功率因数校正(PFC)
开关式电源(SMPS)
交直流转换器,直流-直流转换器
逆变器中的自由/反并联二极管
不间断电源(UPS)
太阳能逆变器,风能转换器

感应加热,焊接
电动汽车(EVs) &直流快速充电器
马达驱动器
LED和HID照明
医学影像系统
高电压传感
脉冲功率

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