安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQ FS4高速IGBT是一款采用新颖的第四代场停技术的单IGBT。该IGBT具有高电流容量，低饱和电压，高输入阻抗和快速开关。FGHL50T65SQ IGBT具有良好的性能和高效率，低导通和开关损耗。该IGBT工作在650V集电极到发射极电压和50A集电极电流，并采用TO-247-3L封装。典型的应用包括功率因数校正(PFC)、太阳能逆变器、UPS、电子开关系统(ESS)、焊机和电信。

特性

• 采用现场停止第四代技术

• 低传导损耗

• 低开关损耗

• 高速开关

• 大电流的能力

• 高输入阻抗

• 收紧参数分布

• 正温度系数，便于并联运行

• 通过无铅认证

规范

• 650V集电极-发射极电压(V(CES))

• ±20V栅极到发射极电压(V(GES))

• 200A集电极电流(I(C)) T(C)=25°C(最大值)

• 在T(C)=25°C(最大值)时，268W功耗(P(D))

• 低饱和电压V(CE(sat))在I(C)=50A(典型)

• -55°C至175°C工作结温度范围

• - 247 - 3 - l包

应用程序

• PFC

• 太阳能逆变器

• 焊机

• 联合包裹

• 电信

• 电子交换系统(ESS)

FGHL50T65SQ性能图