微芯科技SST25WF040B/80B SPI串行闪存芯片设计为四线，SPI兼容接口，允许一个低引脚计数包。这些串行闪存占用最小的板空间，降低了整个系统的成本。SST25WF040B/80B系列闪存芯片采用高性能CMOS超闪存技术制造。这些系列闪光由分缝栅设计和厚氧化物隧道注入器组成，以获得更好的可靠性。

SST25WF040B/80B串行闪存写入(程序或擦除)，单电源1.65V ~ 1.95V。这些串行闪存利用超闪技术来减少编程电流和缩短擦除时间。这减少了在任何删除或程序操作期间的总能耗。SST25WF040B/80B串行闪存有8导SOIC和8触点USON封装。

特性

• 串行接口架构:

• 模式0和模式3

• SPI兼容:

• 双输入/输出支持:

• 快速读双输出指令(3BH)

• 快速读双I/O指令(BBH)

• End-of-write检测:

• 软件轮询状态寄存器中的忙位

• 持有销(#):

• 在不取消选择设备的情况下暂停一个串行序列

• 写保护(WP #):

• 开启/关闭状态寄存器的锁定功能

• 软件写保护:

• 通过状态寄存器中的块保护位进行写保护

• 包:

• 8铅SOIC(150密耳)

• 8触点USON (2mm x 3mm)

• 通过无铅认证

规范

• 1.65V ~ 1.95V单电压读写操作

• 40MHz高速时钟频率

• 优越的可靠性:

• 100000周期

• 在20年数据保留

• 超低功耗:

• 4mA有效读取电流

• 7µ待机电流

• 2µ省电模式待机电流

• 灵活的删除功能:

• 统一4千字节扇区

• 统一的64KByte覆盖块

• 页面程序模式:

• 256字节/页

• 快速擦除和页面程序:

• 400 ms chip-erase时间

• 40毫秒sector-erase时间

• 80 ms block-erase时间

• 0.8 ms / 256字节培训项目

• -40°C至85°C工业温度范围

• -40°C至125°C扩展温度范围

原理框图