达尔科技DGD0227低侧栅驱动 是双路、高速、低侧MOSFET和IGBT驱动。这些器件能够驱动4A的峰值电流，并提供4.5V到18V的工作电源电压范围。包含栅极驱动逻辑输入的二极管与标准TTL和CMOS电平兼容(低至3.3V)，并且可以轻松地与mcu接口。快速和匹配良好的传播延迟允许高速运行，使使用更小的相关元件的更小和更紧凑的功率开关设计成为可能。DGD0227栅极驱动器采用SO-8 (TH型)封装，工作温度范围为-40°C至+125°C。

特性

• 4.5V至18V工作电源电压范围

• 4.0A源/4.0A汇聚输出电流能力

• 35ns(典型)快速传播延迟

• 20ns(典型的)快速上升和下降时间

• 3.3V逻辑输入(IN)能力

• -40°C到+125°C的温度范围

• 无铅，符合RoHS要求

• 卤素和antimony-free

规范

• SO-8 (TH型)包

• 成型塑料，绿色成型复合外壳材料

• UL可燃性等级94V-0

• 3级，根据J-STD-020湿度敏感性

• 重0.075g(近似)

• 终端:

• 哑光镀锡引线

• 焊/ mil - std - 202

• 方法208

应用程序

• 直流-直流转换器

• 线的司机

• 电机控制

• 开关式电源

典型的配置

框图