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英飞凌科技1200V CoolSiC 模块的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-09

摘要： 英飞凌科技1200V CoolSiC 模块是碳化硅(SiC) MOSFET模块，提供了良好的效率水平和系统灵活性。这些模块带有近阈值电路(NTC)和压装触点技术。CoolSiC模块具有高电流密度，最佳级开关和导通损耗，低电感设计。这些模块提...

英飞凌科技1200V CoolSiC 模块是碳化硅(SiC) MOSFET模块，提供了良好的效率水平和系统灵活性。这些模块带有近阈值电路(NTC)和压装触点技术。CoolSiC模块具有高电流密度，最佳级开关和导通损耗，低电感设计。这些模块提供了高频率的操作，增加了功率密度，优化了开发周期和成本。

特性

高电流密度
最佳的类开关和导通损耗
低电感的设计
低设备的参数
具有反向恢复电荷的本征二极管
集成的NTC温度传感器
压入接触技术

效率高，减少冷却工作量
Threshold-free开态特征
与温度无关的开关损耗
高频操作
增加功率密度
优化的开发周期时间和成本
通过无铅认证

规范

DF23MR12W1M1 DF11MR12W1M1:
- 升压机配置
- 简单1 b配置
- M1技术
- 1200 v电压等级
- 62.8毫米x33.8毫米尺寸
FF8MR12W2M1 FF6MR12W2M1:
- 双重配置
- 简单的2 b住房
- M1技术
- 1200 v电压等级
- 62.8毫米x48毫米尺寸
F423MR12W1M1P:
- FourPack配置
- 简单1 b配置
- M1技术
- 1200 v电压等级
- 62.8毫米x33.8毫米尺寸

FF11MR12W1M1, FF45MR12W1M1和FF23MR12W1M1:
- 双重配置
- 简单1 b住房
- M1技术
- 1200 v电压等级
- 62.8毫米x33.8毫米尺寸
F3L11MR12W2M1:
- 三级配置
- 简单的2 b配置
- M1技术
- 1200 v电压等级
- 尺寸为42.5毫米x51毫米
FS45MR12W1M1:
- 普通老百姓的配置
- 简单1 b住房
- M1技术
- 1200 v电压等级
- 62.8毫米x33.8毫米尺寸

电路图

性能图

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