ISSI IS25WP512M & IS25LP512M串行NOR闪存的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-09

摘要： 张明IS25WP512M,IS25LP512M串行NOR闪存是一个通用的存储解决方案，具有高灵活性和性能，在一个简化的引脚计数包。该器件适用于需要有限空间、低引脚计数和低功耗的系统。它通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串...

张明IS25WP512M,IS25LP512M串行NOR闪存是一个通用的存储解决方案，具有高灵活性和性能，在一个简化的引脚计数包。该器件适用于需要有限空间、低引脚计数和低功耗的系统。它通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚组成的4线SPI接口访问，也可以配置为多i /O。该设备支持双和四I/O以及标准，双输出，和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许高达532MHz (133MHz×4)的等效时钟速率，相当于66.5兆字节/秒的数据吞吐量。存储器阵列被组织成256/512字节的可编程页。

特性

工业标准串行接口
- IS25LP512M: 512 mbit / 64兆字节
- IS25WP512M: 512 mbit / 64兆字节
- 3或4字节寻址模式
- 支持标准SPI，快速，双，双I/O，四，四I/O, SPI DTR，双I/O DTR，四I/O DTR，和QPI
- 软硬件复位
- 支持串行flash可发现
- 参数(SFDP)
高性能串行闪存(SPI)
- 80 mhz的正常阅读
- 高达133mhz的快速读取
- 高达80MHz DTR(双传输速率)
- 等效吞吐量为532Mb/s
- 可选择的伪周期
- 可配置的驱动力量
- 支持SPI模式0和3
- 超过100,000个擦除/程序周期
- 超过20年的数据保存
灵活高效的内存架构
- Chip erase with uniform sector/block erase (4/32/64KB or 4/32/ 256kb)
- 程序1到256或512字节每页
- 程序/擦除暂停和恢复

高效的读取和编程模式
- 低指令开销操作
- 连续读8/16/32/64字节
- 破裂的包装
- 可选择的区间长度
- 减少指令开销的QPI
- AutoBoot操作
- DTR操作培训的数据学习模式
低功率，宽温度范围
- 单电压供电:IS25LP: 2.30V至3.60V, IS25WP: 1.65V至1.95V
- 7mA有效读电流
- 10µ待机电流
- 1µ深断电
- 温度等级:
  - 扩展:-40°C到+105°C
  - Auto grade (A3): -40°C to +125°C
先进的安全保护
- 软硬件写保护
- 先进的部门/块保护
- 顶部/底部块保护
- 电源锁定保护
- 4x256字节专用安全区域与OTP用户可锁定位
- 每个设备的128位唯一ID(呼叫工厂)