英飞凌技术共振无线充电——消费类应用在功率传输拓扑的快速切换方面处于领先地位。对于登机口收费时间，R (DS(on))和Coss使6.78MHz的逆变器设计成为可能。卓越的功率MOSFET技术解决了频率开关实现，特别是在30-10V区域的D类逆变器设计和150-250V电压级别的E类逆变器设计。

英飞凌无线充电解决方案的优势在于其基于软件的模块化架构。英飞凌拥有“最酷”的驱动芯片，以及E类实现的低端驱动，以及基于ARMCortex- m0核心的XMC- SC无线电源控制器，为高性能、智能和安全的无线充电应用提供了一个功能强大、成本低廉的平台。对于使用预调节器(buck或buck/boost)来控制放大器输入电压的发射机设计，OptiMOS解决方案可以在20-400V mosfet部分找到。

系统图:D类谐振式无线充电，全桥

谐振系统的拓扑要求

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氮化镓(GAN)和无线充电

英飞凌在其技术产品中加入了氮化镓，从而掌握了从硅(Si)(超结mosfet，通过离散igbt和模块)到宽带隙材料(如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))等所有电源技术的独特地位。

CoolGaN的开发目的是满足并超越未来的无线电源设计需求，并最大限度地提高整个系统的性能。由于其寄生电容显著降低，它是在MHz范围内进行频率切换的理想选择(如空气燃料联盟无线充电标准要求的6.78 MHz)。

借助CoolGaN，英飞凌推出了GaN增强模式高电子迁移率晶体管(e-mode HEMT)组合，具有行业领先的现场性能，以具有吸引力的整体系统成本实现坚固可靠的系统。与硅FET选项相比，GaN开关性能具有低栅极电荷和出色的反向导电动态性能。这使得在现有频率下的工作效率更高，并且可以通过缩小无源元件的尺寸来提高功率密度。

COSS是更高频率无线功率传输系统的关键设计因素，CoolGaN600V E -mode hemt可以在E类放大器中实现最佳调谐，尤其是在30w以上。优势利用CoolGaN600 v为更高的力量类E设计和其他很多会——鲁棒性、质量、可靠性、低门驱动器损失,低路上线性输出电容等效硅mosfet相比,几乎没有以低VDS公司大幅增加,使ZVS操作负载阻抗范围宽。

更多的GaN产品(包括额外的电压等级)正在准备中，很快就会上市。

氮化镓(GaN)和无线充电

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