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NXP Semiconductors MRF101射频功率LDMOS晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-08

摘要： NXP Semiconductors MRF101射频功率LDMOS晶体管是高强度n通道增强模式横向mosfet，设计可展示高达250MHz的高性能。这些晶体管集成了ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，改善了C类操作。这两种晶体管都有两个...

NXP Semiconductors MRF101射频功率LDMOS晶体管是高强度n通道增强模式横向mosfet，设计可展示高达250MHz的高性能。这些晶体管集成了ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，改善了C类操作。这两种晶体管都有两个针脚输出版本，彼此镜像，以支持推拉配置，进一步提高灵活性。MRF101晶体管是高驻波比(VSWR)工业、科学和医疗应用的理想选择。

特性

镜像引脚版本(A和B)简化使用推拉，两向上配置
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，改善了C类操作
工作温度范围为-40°C至150°C

表征范围为30V ~ 50V
适用于线性应用
- 220 - 3 - l包

应用程序

工业、科学、医疗(ISM):
- 激光的一代
- 等离子体刻蚀
- 粒子加速器
- 核磁共振成像和其他医学应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
广播:
- 无线电广播
- 甚高频电视广播

移动广播:
- 甚高频基站
高频和甚高频通信
开关式电源

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