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GaN Systems GS-065-0xx 650V增强模式GaN晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-07

摘要： GaN系统GS-065-0xx 650V增强模式GaN晶体管允许大电流，高电压击穿，和高开关频率。GaN Systems采用专利岛屿技术电池布局，以实现高电流模具性能和&产量。GS-065-004-1-L是一个底部侧冷却晶体管，采用...

GaN系统GS-065-0xx 650V增强模式GaN晶体管允许大电流，高电压击穿，和高开关频率。GaN Systems采用专利岛屿技术电池布局，以实现高电流模具性能和&产量。GS-065-004-1-L是一个底部侧冷却晶体管，采用5×6mm PDFN封装，提供低的结-壳热阻。这些特性结合起来可以提供非常高效的电源开关。

特性

超低ffrom Island技术模具
小5×6mm PDFN包装
容易的栅极驱动要求(0V到6V)
瞬态容许栅驱动(-20V / +10V)
一个非常高的开关频率(>20 mhz)

快速和可控的下跌和上涨时间
用于优化栅极驱动的源感应垫
反向电流能力
零反向恢复损失
符合RoHS 6

应用程序

电源适配器
LED照明驱动程序
电池快速充电
LLC转换器

功率因数校正
设备马达驱动器
无线电力传输
工业电源

文档

数据表
GS-065-0xx-1-L PDFNs的双脉冲测试结果
65W, 18.5W/in(3)， 58cc基于gan的QR适配器参考设计
基于gan的QR适配器参考设计

计划大纲

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