串行SRAM提供了普通SRAM的快速访问和周期时间，易用性和无限的读写耐力。专用安全功能，支持高数据精度。

通过安全的写操作，ANV32E61W只有在传输由13位地址和32位数据生成的正确的2字节CRC时才接受地址和数据。损坏的数据不能覆盖现有的内存内容，甚至有效的数据也不会覆盖损坏的地址。使用状态寄存器第4位可以监视写操作的成功。在数据位损坏的情况下，4将被设置为volatile为high。与安全读操作，ANV32E61W计算正确的2字节CRC并行数据传输。2字节的CRC是在32字节的数据已经传输之后传输的。

当检测到电力损失或任何停电情况(PowerStore操作)时，数据自动传输到非易失性存储单元。上电时，数据会自动恢复到SRAM (Power Up Recall操作)。

存储和召回操作在指令控制下也可用。通过为状态寄存器编写保护块的四个选项之一来启用块写保护。2字节非易失性寄存器支持2字节用户定义序列号的选项。本登记册仅由客户控制。状态寄存器第5位将控制页面和块翻转模式。