摘要: 联合碳化硅UJ3N JFET晶体管是高性能的SiC常开结栅场效应晶体管,可选电压范围从650V到1700V。本系列展览超低电阻(R (DS(上))),低至25 毫欧,低门(路上)允许收取低传导,降低了开关损耗。在VGS = 0V时,器件具有...
联合碳化硅UJ3N JFET晶体管是高性能的SiC常开结栅场效应晶体管,可选电压范围从650V到1700V。本系列展览超低电阻(R (DS(上))),低至25 毫欧,低门(路上)允许收取低传导,降低了开关损耗。在VGS = 0V时,器件具有低R(DS(ON))的常开特性,对于不需要主动控制的电流保护电路也是非常理想的。UJ3N JFET晶体管也常被用于与Si-MOSFET串联,作为强大的“超级caspcodes”,这提供了宽带隙技术的所有优势,非常高的工作电压和容易的栅极驱动。
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