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安森美NTMTS0D7N04C 40V n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-03

摘要： 安森美NTMTS0D7N04C 40V n通道功率MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进功率沟槽工艺生产。该过程已经过优化，以最大限度地减少通态电阻，同时保持一流的软体二极管的切换性能。ON半导体NTMTS0D7N04C提供420A连...

安森美NTMTS0D7N04C 40V n通道功率MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进功率沟槽工艺生产。该过程已经过优化，以最大限度地减少通态电阻，同时保持一流的软体二极管的切换性能。ON半导体NTMTS0D7N04C提供420A连续漏极电流(I(D))和0.67毫欧(max.)的低漏极-源通电阻(RD(S(ON))。

特性

占地面积小(8mm x 8mm)，设计紧凑
低RDS(on)以减少传导损耗
低QG和电容，以减少驱动器损耗
电源88包，行业标准
通过无铅认证

应用程序

电池开关
开关电源
负荷开关
交直流电源
电机控制

线路图

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