德州仪器DRV3245Q-Q1 Gate Driver Unit (GDU)的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-03

摘要： 德州仪器DRV3245Q-Q1栅驱动单元(GDU)是一款用于三相电机驱动应用的FET栅驱动芯片，根据ISO 26262功能安全应用的适用要求设计。该器件提供三个半桥驱动程序，每一个都能够驱动高侧和低侧n沟道MOSFET，同时还提供复杂的保护...

德州仪器DRV3245Q-Q1栅驱动单元(GDU)是一款用于三相电机驱动应用的FET栅驱动芯片，根据ISO 26262功能安全应用的适用要求设计。该器件提供三个半桥驱动程序，每一个都能够驱动高侧和低侧n沟道MOSFET，同时还提供复杂的保护和监测fet。充电泵驱动器可实现100%的占空比，并支持低电池电压在冷曲柄操作。电流检测放大器、集成相位比较器、基于spi的驱动器及其外设配置的集成，消除了大多数外部和无源元件，从而减少了材料清单(BOM)和印刷电路板(PCB)上的空间。

特性

AEC-Q100有汽车应用资格
- 设备温度等级1:-40°C至+125°C, T(A)
SafeTI半导体组件
- 根据ISO 26262的适用要求开发
4.5V至45V工作电压
可编程峰值门驱动电流高达1A
100%占空比的电荷泵闸门驱动器
电流分流放大器和相位比较器
- 一个装置:3个电流分流放大器和通过SPI状态的三相比较器
- B装置:2个电流分流放大器和3相比较器，通过数字引脚实时监控
3-PWM或6-PWM输入控制高达20kHz

单pwm模式整流能力
支持3.3V和5V数字接口
串行外围接口(SPI)
Thermally-Enhanced 48-Pin HTQFP
保护功能
- 内部稳压器，电池电压监视器
- SPI CRC
- 时钟监控
- 模拟自动测试
- 可编程的空时控制
- 预防MOSFET射穿
- MOSFET V(DS)过流监视器
- 门源电压实时监视器
- 超温警告和关机