德州仪器LMG3410R070 600V 70Ω GaN电源级集成驱动和保护提供了硅mosfet的优势。这包括超低的输入和输出电容。其特点包括零反向恢复，可减少高达80%的开关损耗，低开关节点振铃以降低EMI。

LMG3410R070 GaN功率级为电力电子系统中实现功率密度和效率水平提供了新的途径。密集而高效的拓扑结构(如图腾柱PFC)通过这些优势得以实现。集成了一套独特的功能，以简化设计，最大化可靠性和优化任何电源的性能。这为传统的cascode GaN和独立的GaN fet提供了一个聪明的替代方案。这些独特的功能包括集成的栅极驱动器，支持100V/ns切换，Vds铃声接近零，100ns电流限制，自I保护，防止意外射穿事件。这些特性还包括提供自I监控能力的系统接口信号。

特性

• TI GaN工艺通过加速可靠性在应用中的硬交换任务剖面合格

• 支持高密度功率转换设计

• 与Cascode或独立的GaN fet相比，优越的系统性能

• 低电感8mm x 8mm QFN包易于设计和布局

• 可调驱动强度的开关性能和EMI控制

• 数字故障状态输出信号

• 只需要+12V非调节电源

• 集成门驱动器

• 共源电感为零

• mHZ操作的20ns传播延迟

• 过程调整栅偏置电压的可靠性

• 25至100V/ns用户可调的回转率

• 强大的保护

• 不需要外部保护组件

• 过电流保护

• 150V/ns杀伤速度免疫

• 瞬态过电压的免疫力

• 过热保护

• 所有供应轨道上的UVLO保护

应用程序

• 高密度工业和消费电源

• 多级转换器

• 太阳能逆变器

• 工业马达驱动器

• 不间断电源

• 高压电池充电器

框图

TI参考设计库

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