ISSI IS29GL256并行闪存设备的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-01

摘要： ISSI IS29GL256并行闪存设备提供快速页面访问时间为20ns，相应的随机访问时间为70ns。这些存储设备有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程32个字/64个字节。因此，IS29GL256设备提供了比标准编程算法更快的有效编程时...

ISSI IS29GL256并行闪存设备提供快速页面访问时间为20ns，相应的随机访问时间为70ns。这些存储设备有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程32个字/64个字节。因此，IS29GL256设备提供了比标准编程算法更快的有效编程时间。这些内存设备是需要更高密度、更好性能和低功耗的嵌入式应用程序的理想选择。

特性

8字/16字节的页面读取缓冲区
32字/64字节写缓冲区减少了多字更新的总体编程时间
安全硅区(SSR)区域
- 512字/1024字节的永久性安全识别扇区
- 256字工厂锁SSR和256字客户锁SSR
统一64Kword/128KByte扇区架构
暂停和恢复程序和删除操作的命令
写操作状态位表示程序和擦除操作完成

支持通用Flash接口(CFI)
挥发性和非挥发性的高级部门保护方法
WP # / ACC输入
加速编程时间(当应用V(HH)时)，从而在系统生产过程中获得更大的吞吐量
保护第一个或最后一个扇区，而不考虑扇区保护设置
Hardware reset input (reset #)复位设备
Ready/Busy# output (RY/BY#)检测程序或擦除周期完成
至少100K计划/消除耐力周期

规范

单电源运行:
- 2.7V到3.6V全电压范围内读写操作
快速访问时间-40°C到+125°C:
- 70ns at a V(CC)范围3V ~ 3.6V, V(IO)范围3V ~ 3.6V
- 1.65V ~ 3.6V V(IO)输入/输出
- 所有的输入电平(地址、控制和DQ输入电平)和输出都由V(IO)输入端的电压决定

温度范围:
- -40°C到+105°C扩展等级
- -40°C到+125°C汽车级

IS29GL256并行闪存框图

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