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英飞凌科技1200V TRENCHSTOP IGBT6的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-01

摘要： 英飞凌科技1200V TRENCHSTOP IGBT6设计满足高效率、低导通损耗和开关损耗的要求。这些TRENCHSTOP IGBT6具有低栅电荷、低电磁干扰(EMI)、易于并联、高硬开关效率和谐振拓扑等特点。TRENCHSTOP IGBT...

英飞凌科技1200V TRENCHSTOP IGBT6设计满足高效率、低导通损耗和开关损耗的要求。这些TRENCHSTOP IGBT6具有低栅电荷、低电磁干扰(EMI)、易于并联、高硬开关效率和谐振拓扑等特点。TRENCHSTOP IGBT6分为两个产品系列，优化的低导损S6系列和改进的开关损耗H6系列。这些IGBT6是简单的，即插即用替代前任HighSpeed3 H3 IGBT。TRENCHSTOP IGBT6采用了软、快速恢复反平行二极管的沟道和现场停止技术。这些1200V沟阻IGBT6由于V的正温度系数而易于并联 (CEsat)。典型的应用包括工业UPS、储能、三级太阳能逆变器和焊接。

特性

低传导损失
低开关损耗
在硬开关和谐振拓扑中的高效率
低EMI
门费用低

温度系数V(CEsat)为正，便于并联
非常软和快速恢复全电流反并联二极管
175°C最大结温

应用程序

工业联合包裹
充电器
焊接

能量储存
三级太阳能字符串

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