摘要: 双n通道功率mosfet集成了肖特基,采用DFN8 (SO8FL)封装。这些n通道功率mosfet采用了共封装的功率级解决方案,以最小化电路板空间,最小化寄生电感,并减少功率损耗。双n通道功率mosfet无铅,无卤素/无BFR,...
ON Semiconductor双n通道功率mosfet集成了肖特基,采用DFN8 (SO8FL)封装。这些n通道功率mosfet采用了共封装的功率级解决方案,以最小化电路板空间,最小化寄生电感,并减少功率损耗。双n通道功率mosfet无铅,无卤素/无BFR,符合RoHS标准。典型的应用包括DC-DC变换器、系统电压轨和负载点。
联合包装的功率级解决方案,最大限度地减少电路板空间
集成肖特基的低侧MOSFET
最小化寄生电感
占地面积小(5mm x 6mm),设计紧凑
低R(DS(on))以减少传导损耗
低Q(G)和电容,以减少驱动器损耗
优化设备以减少功率损耗
这些设备不含铅,不含卤素/BFR,并符合RoHS标准
直流-直流转换器
rails系统电压
荷载点
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