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ON Semiconductor双n通道功率场效应管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-05-28

摘要: 双n通道功率mosfet集成了肖特基,采用DFN8 (SO8FL)封装。这些n通道功率mosfet采用了共封装的功率级解决方案,以最小化电路板空间,最小化寄生电感,并减少功率损耗。双n通道功率mosfet无铅,无卤素/无BFR,...


    ON Semiconductor双n通道功率mosfet集成了肖特基,采用DFN8 (SO8FL)封装。这些n通道功率mosfet采用了共封装的功率级解决方案,以最小化电路板空间,最小化寄生电感,并减少功率损耗。双n通道功率mosfet无铅,无卤素/无BFR,符合RoHS标准。典型的应用包括DC-DC变换器、系统电压轨和负载点。


    特性

    • 联合包装的功率级解决方案,最大限度地减少电路板空间

    • 集成肖特基的低侧MOSFET

    • 最小化寄生电感

    • 占地面积小(5mm x 6mm),设计紧凑

    • 低R(DS(on))以减少传导损耗

    • 低Q(G)和电容,以减少驱动器损耗

    • 优化设备以减少功率损耗

    • 这些设备不含铅,不含卤素/BFR,并符合RoHS标准


    应用程序

    • 直流-直流转换器

    • rails系统电压

    • 荷载点

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