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英飞凌技术BGA8V1BN6低噪声放大器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-21

摘要： 英飞凌BGA8V1BN6低噪声放大器(LNA)是针对LTE的，覆盖3.3GHz到3.8GHz的宽频段。在4.2mA的电流消耗下，LNAs提供15.0dB的增益和1.2dB的噪声。在旁路模式下，LNA的插入损耗为5.3dB。BGA8V1BN6...

英飞凌BGA8V1BN6低噪声放大器(LNA)是针对LTE的，覆盖3.3GHz到3.8GHz的宽频段。在4.2mA的电流消耗下，LNAs提供15.0dB的增益和1.2dB的噪声。在旁路模式下，LNA的插入损耗为5.3dB。BGA8V1BN6基于英飞凌技术公司的B9HF硅锗技术。该器件工作电压为1.6V至3.1V，具有多状态控制(关断、旁路和高增益模式)。

观点评估板

特性

操作频率:3.3 -3.8 ghz
插入功率增益:15.0dB
旁路模式插入损耗:5.3dB
低噪声系数:1.2dB
低电流消耗:4.2mA

多状态控制:关断、旁路和高增益模式
超小tssnp -6-2无铅封装
RF输入和RF输出内部匹配50欧姆
不需要外部组件

框图

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