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德州仪器CSD25501F3 -20V 64毫欧，p通道FemtoFET MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-20

摘要： 德州仪器CSD25501F3 -20V 64毫欧，p通道FemtoFET MOSFET的设计和优化，以最大限度地减少足迹在许多手持和移动应用程序。该技术能够替代标准的小信号mosfet，同时提供了一个实质性的减少脚印尺寸。集成的10 k欧姆...

德州仪器CSD25501F3 -20V 64毫欧，p通道FemtoFET MOSFET的设计和优化，以最大限度地减少足迹在许多手持和移动应用程序。该技术能够替代标准的小信号mosfet，同时提供了一个实质性的减少脚印尺寸。集成的10 k欧姆夹电阻器(RC)允许门电压(vg)上面操作的最大内部栅氧化层6 v的价值,取决于工作周期。当vg增加到-6V以上时，通过二极管的栅极漏(IGSS)增加。

特性

低导通电阻
超低Q(g)及Q(gd)
小的足迹
- 0.7毫米×0.6毫米
低调
- 0.22毫米的最大高度

集成ESD保护二极管
不含铅和卤素
通过无铅认证

应用程序

为负载开关应用程序进行优化
电池的应用

手持和移动应用程序

线路图

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