ADI ADGM1304/ADGM1004单极，四投(SP4T) MEMS开关具有RF-MEMS开关技术。这种最先进的技术使ADGM1304/ADGM1004 SP4T MEMS开关能够提供比传统机电继电器小95%、速度快30倍、可靠程度高10倍、功耗低10倍的继电器替换解决方案。

ADGM1304和ADGM1004 MEMS开关具有悬臂梁设计的微型机械结构和密封开关触点。开关元件具有高度调节的、极其可靠的金属对金属接触。一个共封装的、低压的、标准逻辑兼容的驱动集成电路产生所需的高压以内部静电驱动开关。所有四个开关也独立控制最大的灵活性。ADGM1004开关优化为2.5kV HBM ESD额定值。

这些高度线性，低插入损耗开关的工作范围分别从0Hz/DC到14GHz和13GHz。性能规格包括30µ开关速度,13/11GHz 3 db带宽,1.6欧姆R(上)和1.6 pf Coff, 36 dbm权力处理,典型的24分贝@ 2.5 ghz隔离,最少10亿驱动,69 dbm线性,30µ沉淀时间。

特性

• 完全工作到0Hz/dc

• -3 db带宽
  

• 11GHz(典型)用于RF1, RF4 (ADGM1304)

• 14GHz(典型)用于RF2, RF3 (ADGM1304)

• 13GHz(典型)用于RF1, RF4 (ADGM1004)

• 10.8GHz(典型)用于RF2, RF3 (ADGM1004)

• 射频性能特征

• 36 dbm(最大值)(ADGM1304)

• 32 dbm(最大值)(ADGM1004)

• 插入损耗:0.26dB(典型)在2.5GHz (ADGM1304)

• 插入损耗:0.45dB(典型)在2.5GHz (ADGM1004)

• 隔离:2.5GHz时24dB(典型)

• 高线性度IIP3: 69dBm(典型)

• 射频(RF)额定功率:

• 驱动寿命:10亿次(最小)

• 密封开关触点

• 开关时间:30μs(典型)

• 电阻:

• 1.6欧姆(典型的)(ADGM1304)

• 1.8欧姆(典型的)(ADGM1004)

• 漏电:0.5nA(最大)

• 供电电压:标称3.1V至3.3V

• 集成驱动程序消除了外部驱动程序的需要
  

• CMOS - / LVTTL-compatible

• 并行接口

• 独立控制开关

• I(DD)休眠模式电流:1μA典型功耗

• 静电放电(ESD)人体模型(HBM)等级(ADGM1004)
  

• 5kV用于RF1到RF4和RFC引脚

• 所有其他引脚为2.5kV

• 24-lead LFCSP包

• 5mm×4mm×0.95mm (ADGM1304)

• 5mm×4mm×1.45mm (ADGM1004)

应用程序

• 继电器更换

• 自动测试设备(ATE):射频/数字/混合信号

• 负载/探测板:射频/数字/混合信号

• 射频测试仪器

• 可重构滤波器/衰减器

• 高性能射频切换

比较图

方框图