英飞凌提供全面的产品组合栅极驱动程序ICs - eicdriver ，优化了广泛的应用范围和不同的开关类型，如MOSFET，开尔文源MOSFET和GaN hemt。

英飞凌CoolMOS C7 mosfet是专为记录级效率性能而设计的，与之前的CoolMOS系列和竞争对手相比，在硬开关应用的整个负载范围内提供了显著的效率优势。C7 mosfet是技术上的一个进步，提供低R(DS(on))/封装，其低开关损耗提高了全负载范围内的效率。C7 mosfet优化功率因数校正(CCM PFC)，两个晶体管正激(TTF)和太阳能升压应用，如太阳能，服务器，电信和UPS。

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英飞凌CoolMOS C7 mosfet

英飞凌的CoolMOS C7金(G7) mosfet采用开尔文源概念封装在新的SMD无铅封装中。G7 mosfet结合了改进的600V和650V CoolMOS G7技术，4引脚开尔文源能力，以及改进的无铅封装的热性能。这使得SMD解决方案能够用于高电流硬开关拓扑，如功率因数校正(PFC)高达3kW。对于600V CoolMOS G7, mosfet可用于高端LLC等谐振电路。

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英飞凌CoolMOS G7 mosfet

英飞凌CoolMOS CFD7 MOSFET提供集成快体二极管的高压超结MOSFET技术。CFD7 mosfet是大功率SMPS应用中谐振拓扑的理想选择，如服务器、电信和电动汽车充电站。与其他mosfet相比，CFD7具有更低的栅极电荷(Qg)、更好的关关行为和高达69%的反向恢复电荷(Qrr)。CFD7也提供了市场上最低的反向恢复时间(trr)之一。这些特性使得CoolMOS CFD7在软开关拓扑中具有最佳的可靠性，效率极高。应用包括LLC和ZVS相移全桥。此外，由于其优化的R(DS(on))， CoolMOS CFD7能够实现更高的功率密度。

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英飞凌CoolMOS CFD7 mosfet

英飞凌CoolMOS P7 mosfet以卓越的易用性提供了同类中最好的价格/性能比，以解决各种应用中的挑战。700V和800V CoolMOS P7功率mosfet已开发用于基于反激式的低功率SMPS应用，包括适配器和充电器、照明、音频SMPS、辅助电源和工业电源。600V CoolMOS P7功率mosfet不仅针对低功率，也针对高功率SMPS应用，如太阳能逆变器、服务器、电信和电动汽车充电站。对于硬开关和软开关拓扑，P7 mosfet是完全优化的。

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英飞凌CoolMOS P7 mosfet