摘要: UnitedSiC UJ3D 650V/1200V/1700V SiC肖特基二极管的设计充分利用了SiC优于标准硅的物理特性,具有4倍于标准硅的动态特性和15%的正向电压(V(F))。由于零反向回收电荷和175°C的最高结温,这些器件非常适...
UnitedSiC UJ3D 650V/1200V/1700V SiC肖特基二极管的设计充分利用了SiC优于标准硅的物理特性,具有4倍于标准硅的动态特性和15%的正向电压(V(F))。由于零反向回收电荷和175°C的最高结温,这些器件非常适合于对冷却要求最低的高频和高效率电力系统。这些设备具有优化的正向压降、增强的浪涌能力和超低的反向恢复Q(c)(Q(rr)),非常适合电信电源、服务器电源、电池充电器和任何需要高交换速度和减少损耗的应用。所有设备都符合AEC-Q101标准,并在TS 16949认证的供应链中制造,使它们成为汽车应用的理想选择。
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