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Qorvo QPD1025和QPD1025L射频输入匹配晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-18

摘要： Qorvo QPD1025和QPD1025L射频输入匹配晶体管是在SiC上分立氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益，1800W输出功率，65V工作电压，支持脉冲和...

Qorvo QPD1025和QPD1025L射频输入匹配晶体管是在SiC上分立氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益，1800W输出功率，65V工作电压，支持脉冲和连续波操作。QPD1025和QPD1025L晶体管可用于工业标准的空腔封装，是IFF应答器、航空电子设备和测试仪器的理想选择。

特性

工作频率范围为1.0GHz ~ 1.1GHz
1800W输出功率(P(3dB)) @ 1.0GHz负载拉
22.5 db线性增益
77.2%典型PAE(3dB) @ 1.0GHz负载拉
65 v工作电压
支持连续波和脉冲

应用程序

敌I识别转发器
航空电子设备
测试仪器

QPD1025和QPD1025L射频输入匹配晶体管功能框图

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