东芝π-MOS VI场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-18

摘要： 东芝π- mos VI mosfet是一种低压栅驱动器件，可提供p通道和n通道极性，也可提供单通道和双通道类型。这些器件提供高漏极额定电流、低电容、低导通电阻和快速开关。π-MOS VI场效应管驱动最小2.5V到最大20V栅电压。π-MOS...

东芝π- mos VI mosfet是一种低压栅驱动器件，可提供p通道和n通道极性，也可提供单通道和双通道类型。这些器件提供高漏极额定电流、低电容、低导通电阻和快速开关。π-MOS VI场效应管驱动最小2.5V到最大20V栅电压。π-MOS VI mosfet提供了CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3和TO-263MOD-3封装类型的设计灵活性。这些小的表面安装包是高密度应用的理想选择。

特性

驱动电压类型:低压栅极驱动
极性:n沟道,p沟道
最大漏源极导通电阻(R (DS(上))):1.2 毫欧12 毫欧(@V (GS) = 4 v)
漏源极电压(V(DSS)):±-20V，±30V
栅源电压(V(GSS)):±10V，±-20V

漏极电流(I(D)): -0.1A至0.5A
功耗(P(D)): 0.1W ~ 0.3W
输入电容(C(ISS)): 7.8pF到70pF

应用程序

模拟开关

高速开关

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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