摘要: 罗姆半导体汽车点火igbt具有低集电极-发射极饱和电压,适用于点火线圈和电磁阀驱动电路。IGBT晶体管具有高自箝位感应开关能量,内置门-发射极保护二极管和内置门-发射极电阻。这些晶体管IGBT在-40°C 175°C的温度和-55°C 17...
罗姆半导体汽车点火igbt具有低集电极-发射极饱和电压,适用于点火线圈和电磁阀驱动电路。IGBT晶体管具有高自箝位感应开关能量,内置门-发射极保护二极管和内置门-发射极电阻。这些晶体管IGBT在-40°C 175°C的温度和-55°C 175°C存储温度。该设备封装在3针TO-252和TO263S封装中,是一种高度可靠的汽车产品。
低集电极-发射极饱和电压
高自箝位感应开关能量
内置门-射极保护二极管
内置gate-emitter阻力
-40°C 175°C操作结温
-55°C 175°C存储温度
资格AEC-Q101
Pb-free主要电镀
通过无铅认证
点火线圈驱动电路
电磁阀驱动电路
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