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罗姆半导体汽车点火igbt的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-05-17

摘要: 罗姆半导体汽车点火igbt具有低集电极-发射极饱和电压,适用于点火线圈和电磁阀驱动电路。IGBT晶体管具有高自箝位感应开关能量,内置门-发射极保护二极管和内置门-发射极电阻。这些晶体管IGBT在-40°C 175°C的温度和-55°C 17...


    罗姆半导体汽车点火igbt具有低集电极-发射极饱和电压,适用于点火线圈和电磁阀驱动电路。IGBT晶体管具有高自箝位感应开关能量,内置门-发射极保护二极管和内置门-发射极电阻。这些晶体管IGBT在-40°C 175°C的温度和-55°C 175°C存储温度。该设备封装在3针TO-252和TO263S封装中,是一种高度可靠的汽车产品。


    特性

    • 低集电极-发射极饱和电压

    • 高自箝位感应开关能量

    • 内置门-射极保护二极管

    • 内置gate-emitter阻力

    • -40°C 175°C操作结温

    • -55°C 175°C存储温度

    • 资格AEC-Q101

    • Pb-free主要电镀

    • 通过无铅认证


    应用程序

    • 点火线圈驱动电路

    • 电磁阀驱动电路

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