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Semiconductors

Nexperia PSMN n通道30V mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-17

摘要： Nexperia PSMN n通道30V mosfet采用NextPowerS3技术，提供低R (DSon)和低I LFPAK包装中的DSS泄漏。LFPAK封装提供了高可靠性，符合175°C的要求。这些mosfet包括一流的安全操作区(SO...

Nexperia PSMN n通道30V mosfet采用NextPowerS3技术，提供低R (DSon)和低I LFPAK包装中的DSS泄漏。LFPAK封装提供了高可靠性，符合175°C的要求。这些mosfet包括一流的安全操作区(SOA)。PSMN mosfet在25°C时漏电小于1μA，并优化为4.5V栅极驱动。这些mosfet具有-55°C到175°C的结温和存储温度。PSMN mosfet是理想的用于热插拔，电源或ing，电池保护，有刷和无刷直流电机控制，以及同步整流在交直流和DC-DC应用。

特性

优化低R(DSon)
NextPowerS3技术
一流的SOA
<1µ低泄漏25°C

高可靠性LFPAK包符合175°C
供目视焊锡检查的外露引线
低尖峰和响铃低EMI设计

规范

优化为4.5V栅极驱动
存储温度范围为-55℃~ 175℃
-55°C至175°C结温范围

25°C≤Tj≤175°C时:
- 漏源极电压30 v (DS)
- 30 v (DGR) drain-gate电压

应用程序

热交换
权力和ing
直流开关/负载开关

电池保护
有刷和无刷电机控制
同步整流在交直流和DC-DC应用

功率或ing应用图

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