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摘要： Nexperia小信号沟道mosfet产品包括超低电压N沟道和p沟道mosfet，采用超小的4或6凸起晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。可在单一或双配置，这些mosfet具有≤20V的低阈值电压，并提供>2kV HBM静电放电(ESD...
Nexperia小信号沟道mosfet产品包括超低电压N沟道和p沟道mosfet，采用超小的4或6凸起晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。可在单一或双配置，这些mosfet具有≤20V的低阈值电压，并提供>2kV HBM静电放电(ESD)保护。Nexperia小信号沟道mosfet是为满足低驱动电压便携式应用的要求而设计的。这些应用包括电池开关、高速线路驱动器、高侧负载开关、开关电路和继电器驱动器。
低门槛电压
超小包装:0.78×0.78×0.35mm或0.98×1.48×0.35mm
沟MOSFET技术
2kV HBM静电放电(ESD)保护
电池开关
高速铁路司机
高端loadswitches
开关电路
继电器驱动程序
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