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NXP Semiconductors MRFX1K80参考电路的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-14

摘要： NXP Semiconductors MRFX1K80H参考电路允许对NXP MRFX1K80射频功率晶体管进行快速评估和原型制作。NXP MRFX1K50射频功率LDMOS晶体管结合了高射频输出功率，优越的强度和热性能。MRFX1K80晶...

NXP Semiconductors MRFX1K80H参考电路允许对NXP MRFX1K80射频功率晶体管进行快速评估和原型制作。NXP MRFX1K50射频功率LDMOS晶体管结合了高射频输出功率，优越的强度和热性能。MRFX1K80晶体管设计为在65V连续波(连续波)下提供1800W，应用范围从1MHz到470MHz，并能够处理65:1电压驻波比(VSWR)。

特性

用于评估NXP MRFX1K80射频功率晶体管
高电压可实现高输出功率密度，减少元件数量，简化设计
快速开发时间增加的输出功率可以在保持合理输出阻抗的同时增加，简化阻抗匹配
与NXP MRF1K50H和MRF1K50NR5 50V LDMOS晶体管的引脚到引脚兼容性，使射频设计人员可以在更短的时间内重用现有的电路板设计
高压降低了系统中的电流，限制了直流电源的应力，减少了磁辐射
NXP 65V LDMOS技术的击穿电压为182V，提高了可靠性和高效率架构

应用程序

工业、科学、医疗(ISM)
- 激光的一代
- 等离子体生成
- 粒子加速器
- MRI，射频消融，皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统

无线电和甚高频电视广播
航空航天
- 甚高频全向测距(VOR)
- 高频通信
- 气象雷达

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