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意法半导体EVALSTDRV600HB8开发板的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-14

摘要： 意法半导体EVALSTDRV600HB8开发板是专为L638xE和L639x高压栅驱动而设计的。L638xE和L639x驱动是用于n通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动。这些L638xE和L639x驱动程序是采用BCD “离线...

意法半导体EVALSTDRV600HB8开发板是专为L638xE和L639x高压栅驱动而设计的。L638xE和L639x驱动是用于n通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动。这些L638xE和L639x驱动程序是采用BCD“离线”技术制造的高压设备。

EVALSTDRV600HB8板由SO8包中的两个样品(L638xE和L639x)组成，允许评估额定电压高达600V的栅驱动特性和功能。该SO8包还支持几种高电压、高侧和低侧驱动设备。开发板还带有无源元件，如滤波，自举电容，和集成自举二极管设计，允许更紧凑和成本效益。

特性

网格状的配置
600V高压导轨
包括SO8包中每个兼容的栅极驱动程序的示例
- L6385E, L6387E, L6388E, L6389E, L6395, L6398，和L6399
兼容mosfet或igbt在±50V/ns dv/dt全温度范围内的瞬态免疫
综合自举二极管
专用的高侧和低侧驱动输入

紧凑和简化的布局
门驱动器在套件中具有不同的功能和特点:
- 高侧和低侧都有UVLO
- 内部死时间或没有死时间
- 联锁防交叉导电保护
- 能够驱动不对称半桥和开关磁阻电机
- 用于单输入门驱动的有源高电平或有源低电平本地互连网络(LIN)

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