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GaN Systems GS61004B-EVBCD评估板的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-14

摘要： GaN Systems公司的GS61004B- evbcd评价板用于评价GS61004B增强模式高电子迁移率(E-HEMT) GaN晶体管。此评估板使用四个GS61004B GaN E-HEMT结合两个高速GaN E-HEMT驱动器。GS6...

GaN Systems公司的GS61004B- evbcd评价板用于评价GS61004B增强模式高电子迁移率(E-HEMT) GaN晶体管。此评估板使用四个GS61004B GaN E-HEMT结合两个高速GaN E-HEMT驱动器。GS61004B-EVBCD评估板可产生低死区，以减少d类应用中的交叉失真。该评估板的特点是E-HEMT驱动器，可提供亚纳秒范围内的硬开关转换速度。GS61004B-EVBCD董事会运作的最大模温+ 125°C。

特性

四个GS1004B GaN晶体管和两个E-HEMT驱动器
GaN晶体管可工作到100MHz
晶体管驱动器可操作高达40MHz

优化，Vcc无关，为匹配死时间
集成死区控制，电阻可调

GS1004B-EVBCD评估板框图

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