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东芝TK2R9E10PL硅n沟道MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-13

摘要： 东芝TK2R9E10PL硅n沟道MOSFET是一种高速开关器件，门极电荷为48nC。该装置具有较小的164nC输出电荷。TK2R9E10PL还具有低漏源通阻 (DS ) = 2.4 毫欧和低泄漏电流。特性高速开关小门电荷:Q(SW) = ...

东芝TK2R9E10PL硅n沟道MOSFET是一种高速开关器件，门极电荷为48nC。该装置具有较小的164nC输出电荷。TK2R9E10PL还具有低漏源通阻 (DS ) = 2.4 毫欧和低泄漏电流。

特性

高速开关
小门电荷:Q(SW) = 48nC (typ.)
漏源极低导通电阻:R (DS(上))= 2.4 毫欧(typ。)(vg = 10 v)

输出电荷小:Q(oss) = 164nC (typ.)
低漏电流:I(DSS) = 10µ(max) (V (DS) = 100)
增强方式:V(th) = 1.5 ~ 2.5V (V(DS) = 10V, I(D) = 1mA)

应用程序

高效直流-直流转换器
开关稳压器
电机驱动程序

封装与内部电路

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