意法半导体MOSFET和IGBT栅驱动的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-13

摘要： 意法半导体场效应晶体管,IGBT门驱动程序是工业、消费、计算机和汽车应用的离散设备组合。该组合提供了从单桥到半桥和多通道驱动器的范围。该驱动器额定电压为低电压或高电压(高达1500V)应用。ST还为安全和功能需求提供电隔离栅极驱动器ICs。...

意法半导体场效应晶体管,IGBT门驱动程序是工业、消费、计算机和汽车应用的离散设备组合。该组合提供了从单桥到半桥和多通道驱动器的范围。该驱动器额定电压为低电压或高电压(高达1500V)应用。ST还为安全和功能需求提供电隔离栅极驱动器ICs。系统封装(SiP)解决方案集成了高侧和低侧栅驱动器和基于mosfet的功率级。这使得它们成为具有更高集成水平和更低开发成本的工业市场的理想选择。

ST的新STDRIVE系列半桥MOSFET和IGBT栅驱动程序设计用于在恶劣的工业环境中耐受高达600V的高压，同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。L6491,L6494,L6498高压半桥栅驱动器特别适合于中容量和大容量的电源开关，因为它们的吸收/源电流能力高达4A。

评估板EVAL6494L,EVAL6498L允许评估L6494和L6498高电压，高侧和低侧2A栅极驱动器，设计用于恶劣的工业环境。该器件可承受高达600V的高压，同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。

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