摘要: ADI HMC637BPM5E单片微波集成电路(mmic)由砷化镓(GaAs)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联码分布式功率放大器组成。mics在正常运行时是自偏置的,并具有用于静态电流(IDQ)调节和二阶截距(IP2)和三...
ADI HMC637BPM5E单片微波集成电路(mmic)由砷化镓(GaAs)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联码分布式功率放大器组成。mics在正常运行时是自偏置的,并具有用于静态电流(IDQ)调节和二阶截距(IP2)和三阶截距(IP3)优化的可选偏置控制。放大器的工作范围从直流到7.5GHz,提供15.5dB的小信号增益,在1dB增益压缩时输出功率为28dBm。该器件还具有39dBm的典型输出IP3, 3.5dB噪声系数,而需要345mA从12V供电电压(V (DD))。
HMC637BPM5E是军事、空间和测试设备应用的理想选择,其增益平坦度从直流到7.5GHz,典型的增益平坦度为±0.5 dB。HMC637BPM5E也特性输入/输出(I / o) 50欧姆内部匹配。
器件封装在符合rohs标准的5×5毫米预模压腔内,引线框架芯片规模封装(LFCSP)。这使得该设备与高容量,表面贴装技术(SMT)装配设备兼容。
P1dB输出功率:典型28dBm
增益:15.5 db典型
输出IP3: 39dBm典型
50欧姆匹配输入/输出
典型的VDD = 12V 345mA时的自偏置
可选偏置控制V(GG)1,用于I(DQ)调节
可选的偏置控制在V(GG)2为IP2和IP3优化
32引脚,5×5mm LFCSP封装:25mm(2)
军事和航天
测试仪器
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