东芝U-MOSIX-H场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-12

摘要： 东芝U-MOSIX-H低电压n通道增强模式mosfet是一种高效率的mosfet，专门设计用于交直流电源的二次侧。这包括笔记本电脑适配器，游戏机，服务器，台式电脑，平板显示器。它还包括用于通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源。它们具有...

东芝U-MOSIX-H低电压n通道增强模式mosfet是一种高效率的mosfet，专门设计用于交直流电源的二次侧。这包括笔记本电脑适配器，游戏机，服务器，台式电脑，平板显示器。它还包括用于通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源。它们具有高速开关、小栅极电荷和低漏源极通阻。这些mosfet采用第8代和第9代trench MOS工艺制造。U-MOSIX-H低电压mosfet将有助于提高电源的效率。

特性

高速开关
小门电荷
小输出充电

漏源极低导通电阻
低漏电流
增强型

应用程序

高效直流-直流转换器
开关稳压器

电机驱动程序

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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