东芝U-MOSVII-H场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-12

摘要： 东芝u - mosviii - h mosfet是逻辑电平栅驱动和低压栅驱动器件，有单n通道和双n通道两种型号。这些器件的漏极-源极电压范围为12V ~ 60V，漏极电流连续范围为0.15m ~ 9.0A。u - mosviii - h m...

东芝u - mosviii - h mosfet是逻辑电平栅驱动和低压栅驱动器件，有单n通道和双n通道两种型号。这些器件的漏极-源极电压范围为12V ~ 60V，漏极电流连续范围为0.15m ~ 9.0A。u - mosviii - h mosfet提供了广泛的紧凑，表面安装的封装类型，使它们是高密度应用的理想选择。

特性

驱动电压类型:逻辑级栅极驱动和低压栅极驱动
极性:n沟道
最大漏源极通阻(R(DS(ON))): 0.018欧姆到4.7欧姆(@V(GS) = 4.5V)
漏源极电压(V(DSS)): 12V ~ 60V
栅源电压(V(GSS)):±12V ~±20V

漏极电流(I(D)): 0.15m至9.0A
功耗(P(D)) 0.15W ~ 1.6W
输入电容(C(ISS)): 11pF到620pF
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
SMD / SMT

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产品选择指南

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东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

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