微半导体/微芯片碳化硅肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-09

摘要： 与传统的硅(Si)功率二极管相比，微半导体(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)提供了动态和热性能。与纯硅器件相比，SiC器件提供了更大的介电击穿场强度、更高的带隙和更高的热导率。SiC sbd具有零正向和反向恢复充电的特点，这减少了二极管的...

与传统的硅(Si)功率二极管相比，微半导体(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)提供了动态和热性能。与纯硅器件相比，SiC器件提供了更大的介电击穿场强度、更高的带隙和更高的热导率。SiC sbd具有零正向和反向恢复充电的特点，这减少了二极管的开关损耗。这些设备还提供温度无关的开关，确保稳定的高温性能。

特性

超快的恢复时间
软恢复特性
低正向电压
低漏电流
雪崩节能的
本质上是零正向和反向恢复=减少开关和二极管开关损耗
AEC-Q101合格，可使用175摄氏度结温

在更高的开关频率下提高系统效率
低开关损耗
低噪音(EMI)开关
更高的可靠性系统与增加的功率密度
降低系统成本(更小的磁/散热器，更少的组件，减小系统尺寸)
商业和汽车合格的解决方案

应用程序

商业航空:
- 驱动，空调，配电
工业:
- 电机驱动，焊接，UPS，感应加热，开关式电源
运输/汽车:
- 电动汽车电池充电器，车载充电器，H/EV动力总成，DC-DC转换器，能量回收

智能能源:
- 光伏逆变器，风力涡轮机
医疗:
- 磁共振电源、x射线电源
国防和石油钻探:
- 电机驱动，辅助电源

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