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瑞萨电子IGBT晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-10

摘要： 瑞萨IGBT晶体管集成了沟道栅极、薄晶片技术，并在一个封装中内置快速恢复二极管。这些晶体管包括单一配置和采用通孔安装风格。IGBT晶体管的集电极到发射极的电压范围为600V到650V。典型的应用包括电流谐振电路，逆变器，感应加热，微波炉，功...

瑞萨IGBT晶体管集成了沟道栅极、薄晶片技术，并在一个封装中内置快速恢复二极管。这些晶体管包括单一配置和采用通孔安装风格。IGBT晶体管的集电极到发射极的电压范围为600V到650V。典型的应用包括电流谐振电路，逆变器，感应加热，微波炉，功率因数校正电路。

特性

沟槽栅和薄晶片技术
内置快速恢复二极管在一个包
低集电极到发射极饱和电压
高速开关

应用程序

电流谐振电路
逆变器
感应加热
微波炉
功率因数校正电路

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